Design and characterization of a 10 nm finfet
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Sub - 50 nm P - Channel FinFET
High-performance PMOSFETs with sub-50–nm gate-length are reported. A self-aligned double-gate MOSFET structure (FinFET) is used to suppress the short-channel effects. This vertical double-gate SOI MOSFET features: 1) a transistor channel which is formed on the vertical surfaces of an ultrathin Si fin and controlled by gate electrodes formed on both sides of the fin; 2) two gates which are self-...
متن کاملa study on the design of bio-ethanol process from date wastes of sistan and baluchistan province
اتانول کاربردهای متنوعی در صنایع لاستیک سازی، رنگسازی، حلالها ومکمل سوخت خودرو دارد. اتانول برخلاف نفت از جمله مواد تجدیدپذیر محسوب می شود که مشکلات زیست محیطی و آلودگی نیز ایجاد نمی کند. استفاده از اتانول به عنوان مکمل سوختخودروها از جمله مهمترین مصارف صنعتی این ماده بشمار می رود. با توجه به این موضوع تحقیق و توسعه در زمینه تولید اتانول با درجه خلوص بالا در سطح جهان، و نه تنها در کشور های پیشر...
synthesis and characterization of some macrocyclic schiff bases
ماکروسیکلهای شیف باز از اهمیت زیادی در شیمی آلی و دارویی برخوردار می باشند. این ماکروسیکلها با دارابودن گروه های مناسب در مکانهای مناسب می توانند فلزاتی مثل مس، نیکل و ... را در حفره های خود به دام انداخته، کمپلکسهای پایدار تولید نمایند. در این پایان نامه ابتدا یک دی آلدئید آروماتیک از گلیسیرین تهیه می شود و در مرحله بعدی واکنش با دی آمینهای آروماتیک و یا آلیفاتیک در رقتهای بسیار زیاد منجر به ت...
15 صفحه اولSub-10 nm beam confinement by X-ray waveguides: design, fabrication and characterization of optical properties
The propagation of hard X-ray synchrotron beams in waveguides with guiding layer diameters in the 9-35 nm thickness range has been studied. The planar waveguide structures consist of an optimized two-component cladding. The presented fabrication method is suitable for short and leak-proof waveguide slices with lengths (along the optical axis) in the sub-500 µm range, adapted for optimized trans...
متن کامل25 nm Omega FinFET: Three-dimensional Process and Device Simulations
This Sentaurus simulation project provides a template setup for three-dimensional process simulation and device simulations of Omega FinFETs. The threedimensional process simulation is based on a particularly robust approach in which geometry-altering and dopant-related processing steps are executed sequentially in two separate groups. The Sentaurus Workbench template project also performs 3D q...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Malaysian Journal of Fundamental and Applied Sciences
سال: 2019
ISSN: 2289-599X,2289-5981
DOI: 10.11113/mjfas.v15n4.1234